عمده کتاب‌های الکترونیک مباحث دروس الکترونیک1،2و3 را به صورت یکپارچه پوشش می‌دهند از این‌رو این کتاب‌ها در زمینه الکترونیک3 و الکترونیک فرکانس بالا از جامعیت مورد نیاز برخوردار نیستند. به علاوه با توجه به کمبود مراجع درسی مناسب، غالبا مطالبی از درس مدارهای مخابراتی جایگزین بخش‌هایی از درس الکترونیک3 می‌گردد به همین دلیل مولف کتاب الکترونیک 3 را نگاشته است تا این کمبود جبران شود.

کتاب حاضر تمامی مباحث مندرج در سرفصل‌های ابلاغی از سوی وزارت علوم، تحقیقات و فناوری در مورد درس الکترونیک 3 را به‌صورت جامع و یک‌جا پوشش می‌دهد.

گزیده کتاب الکترونیک 3

بررسی مدار معادل ترانزیستور

ترانزیستور را می‌توان همانند یک شبکه دوقطبی در نظر گرفت و برای آن پارامترهایZ_Y_T-hو... تعریف کرد.

با توجه به این که ترانزیستور سه پایه دارد . دو قطبی دارای چهار پایه است، یکی از پایه‌های ترانزیستور بین ورودی و خروجی به عنوان پایه مشترک در نظر گرفته می‌شود بر این اساس تزانزیستور به شکل‌های مختلفی مدل‌سازی می‌گردد به عنوان مثال برای ترانزیستور پیوندی دو قطبی مدل‌های هایبرید امیتر مشترک، بیس مشترک و کلکتور مشترک وجود دارد.

مدل‌های هایبرید اگرچه در فرکانس‌های پایین و باند میانی مناسب هستند اما به علت در نظر نگرفتن اثر خازن‌های داخلی ترانزیستور نمی‌توانند در فرکانس‌های بالا مورد استفاده قرار گیرند، از این رو مدل کاملتر ی ارائه می‌شود.

مدل کردن ترانزیستور با استفاده از عناصر مداری

معمولا برای ساختن ترانزیستور، لایه‌های نیمه هادی به طریق دیفیوژن بر روی هم قرار می‌گیرند.

ساختار یک نمونه از ترانزیستور پیوندی دو قطبی نشان می‌دهد که هر پیوند شامل یک ظرفیت خازنی و یک اثر مقاومتی می‌باشد. در حالت بایاس معکوس پیوند با افزایش ولتاژ، بار ذخیره شده در ناحیه تهی نیز افزایش می‌یابد و این نشان دهنده وجود یک ظرفیت خازنی است که به ظرفیت تهی موسوم می‌باشد.

صفحات کتاب :

334

کنگره :

81388الف36خ/TK7815

دیویی :

621/381

کتابشناسی ملی :

1775858

شابک :

1_274_452_964_978

سال نشر :

1386